该平台以功率集成技术为主要研究领域，围绕新型Si基功率器件、第三代半导体功率器件、功率集成电路和集成系统、功率器件可靠性等方向，打造中国最大的功率半导体生产基地。

科研能力：本平台围绕功率半导体的设计、制造、可靠性和应用在新型Si基功率期间、第三代半导体功率器件、功率集成电路和集成系统、以及功率器件可靠性等领域通过产学研合作形成一个功率半导体产业化平台。

其中在新型Si基功率器件领域，平台前期和重庆的企业在该领域有较多的合作，在此基础上，本项目拟通过开展SJ-MOS的电荷平衡理论和新结构、IGBT的载流子调制理论与新结构等科学问题的研究，以进一步优化器件性能，并通过公司实现成果转化。

在第三代半导体功率器件领域，本项目拟通过与公司合作，进一步开展GaN和SiC功率器件的设计和制备技术研究，包括常关型Si基GaN HEMT、SiC MOSFET、SiC IGBT等，为第三代半导体功率器件的量产化打下基础。

在功率集成电路和集成系统领域，开展IGBT的智能采样、自适应串联均压/并联均流技术等课题的研究。

在功率器件可靠性领域，本项目拟对功率器件的安全工作区（SOA）拓展SJ-MOS和IGBT的EMI噪声、功率器件的UIS失效机理与改进新结构等课题开展深入研究，解决公司产品在可靠性考核和应用中出现的耐压不稳定、雪崩耐量低等实际问题。