电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
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姓名:刘洋

邮箱:yliu1975@uestc.edu.cn

电话:028-83208216

系别:集成电路与系统系

职称:教授

教师个人主页:http://faculty.uestc.edu.cn/liuyang1

邮箱 yliu1975@uestc.edu.cn 电话 028-83208216
系别 集成电路与系统系 职称 教授
教师个人主页 http://faculty.uestc.edu.cn/liuyang1

教师简介

教育背景

2001.05-2005.05 新加坡南洋理工大学,微电子专业,博士学位

1994.09-1998.07 吉林大学,微电子专业,学士学位

工作履历

2014.05- 电子科技大学, 射频及微波集成电路中心主任

2008.03- 电子科技大学,教授 博士生导师

2006.08-2008.02 新加坡南洋理工大学,新加坡千禧基金学者

2005.06- 2006.07 新加坡南洋理工大学,博士后研究员

学术兼职

2012.01- IEEE member

荣誉奖励

2011年,四川省杰出青年学术/技术带头人

2008年,新加坡千禧基金学者

简 介

2002年至今在Nature Commnunications, Nanoscale , IEEE Trans on CAS, IEEE Trans. on VLSI, IEEE Trans. on Electron Device 等共发表SCI收录期刊文章129篇,SCI他引超过600次。获得美国专利授权一项,中国专利授权11项。2012年受美国工程院院士、IEEE fellow施敏教授邀请在其英文专著“Nonvolatile memories: materials,Device and Applications”中撰写了关于新型存储器件的一个回顾章节

科学研究

代表性论著

1. S. G. Hu,Y. Liu*, Z. Liu, T. P. Chen, J. J. Wang, Q. Yu, L. J. Deng, Y. Yin, and Sumio Hosaka “Associative memory realized by a reconfigurable memristive Hopfield neural network”Nature CommunicationsVol.6, pp.7522 doi: 10.1038/ncomms8522, 2015

2. Zhentao Xu, Wei Wang, Ning Ning, Wei Meng Lim, Shaogang Hu, Qi Yu andY. Liu, "A high stability relaxation oscillator based on dynamic-threshold and switched-resistors,IEEE Trans. on VLSIVol.23,pp.786-790 , 2015.

3. Jing Li, Shuangyi Wu,Yang, Liu*, Ning, Ning, Qi Yu, A digitaltiming mismatch calibration technique in time-interleaved ADCs,IEEE Trans. on CAS IIVol.61,pp.486-490, 2014.

4. S. G. Hu,Y. Liu*, T. P. Chen, , M. Yang, Q. Yu and S. Fung “Effect of heat diffusion during state transitions in resistive switching memory device based on nickel rich nickel oxide film”IEEETransaction on Electronic DevicesVol.59,pp.1558-1562, 2012.

5. Q. Yu,Y. Liu*, T.P. Chen, Z. Liu, Y. F. Yu, H.W. Lei, J. Zhuand S. Fung “Flexible write-once-read-many-times memory device based on a nickel oxide thin film”IEEETransaction on Electronic DevicesVol.59,pp.858-862, 2012.

出版刊物

1. Book Chapters:Y. Liuand T. P. Chen “Electrical properties and nonvolatile memory applications of semiconductor nanocrystals and metal nanoparticles” in “Nonvolatile memories: Materials, Devices and Applications” American Scientific Publishers,Edited by Tseung-Yuen Tseng and Simon M. Sze, 2012.ISBN: 1-58883-250-3

2. 美国专利: T. P. Chen,Y. Liu, C. Y. Ng, and M. S. Tse, “Two-terminal solid-state memory device and two-terminal flexible memory device based on nanocrystals or nanoparticles”, US patent Pub. No.: US2006/0231889A1; Pub. Date; Oct. 19, 2006

主讲课程

研究方向

研究内容1

射频/微波集成电路设计

研究内容2

新型存储器件及芯片研发及应用

研究内容3

硅基光电子器件及芯片研发


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