电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
副高级
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姓名:钱凌轩

邮箱:lxqian@uestc.edu.cn

电话:028-83201232

系别:微电子与固体电子系

职称:副教授(副研究员等

教师个人主页:http://faculty.uestc.edu.cn/qianlin

邮箱 lxqian@uestc.edu.cn 电话 028-83201232
系别 微电子与固体电子系 职称 副教授(副研究员等
教师个人主页 http://faculty.uestc.edu.cn/qianlin

教师简介

钱凌轩,副教授、香港大学电机电子工程(EEE)博士。目前的研究领域为宽禁带半导体器件,包括:1)β-Ga2O3基高耐压功率器件;2)β-Ga2O3基日盲紫外探测器;3)非晶氧化物薄膜晶体管。迄今为止,以第一/通讯作者在ACS Photonics、IEEE Electron Dev. Lett.、Appl. Phys. Lett.、IEEE Trans.等本领域权威期刊上发表SCI论文10余篇;授权中国发明专利1项;主持国家自然科学基金、XXXX预研基金、中央高校基本科研业务费等科研项目。

教育背景

2010.09-2014.08 香港大学,电机电子工程系,博士学位

2003.09-2006.06 四川大学,电子信息学院,硕士学位

1999.09-2003.07 四川大学,化学工程学院,学士学位

工作履历

2018.01-至今 电子科技大学,电子科学与工程学院,副教授

2016.07-2017.12 电子科技大学,微电子与固体电子学院,副教授(破格晋升)

2014.10-2016.06 电子科技大学,微电子与固体电子学院,讲师

2009.07-2010.06 中国专利技术开发公司(国家知识产权局),工程师

2006.07-2009.05 中芯国际(北京),PIE部门,代理项目经理、副高级工程师

学术兼职

IEEE Member;

ACS Appl. Mater. Inter.、IEEE Electron Dev. Lett.、IEEE Trans. Electron Dev.、Appl. Phys. Lett.、J. Appl. Phys.、Opt. Express、J. Alloy Compd.等SCI期刊特邀评审;

招生专业

专业代码及名称:080900 电子科学与技术

研究方向码及名称: 06、电子薄膜与集成器件

08、微电子材料、工艺与微系统集成

09、功率半导体器件与集成

科学研究

研究方向

1)氧化镓日盲紫外探测器

利用分子束外延(MBE)设备生长氧化镓薄膜,在此基础上制备日盲紫外探测器与高耐压功率器件,进行器件优化、机理探究等。

2)非晶InGaZnO薄膜晶体管

研制高性能非晶InGaZnO薄膜场效应晶体管(TFTs),以应对下一代平板显示技术的发展,并拓展InGaZnO TFTs在传感器、可穿戴设备以及集成电路等领域的应用。

3)High-k栅介质

探索新型High-k介质在MOSFET器件中的应用,以减小器件漏电流,降低操作电压和能耗,应对未来高性能集成电路及其他电子器件的要求。

研究条件

依托电子薄膜与集成器件国家重点实验室,拥有过硬的材料制备、器件仿真、器件加工、性能测试以及电路设计的软、硬件条件,有利于相关研究的开展与成果转化。

代表性SCI期刊论文

【18】Y.Y. Zhang,L.X. Qian*, Z.H. Wu, P.T. Lai, and X.Z. Liu*, Improved Performance of Amorphous InGaMgO Metal-Semiconductor-Metal Ultraviolet Photodetector by Post Deposition Annealing in Oxygen,IEEE Trans. Nanotechnol., 17, 29, 2018. (IF 2.86)

【17】Ling-Xuan Qian*, Ze-Han Wu, Yi-Yu Zhang, P. T. Lai, Xing-Zhao Liu, and Yan-Rong Li, Ultrahigh-responsivity, rapid-recovery, solar-blind photodetector based on highly nonstoichiometric amorphous gallium oxide,ACS Photonics, 4, 2203, 2017. (IF 6.88,JCR 1区)

【16】Ling-Xuan Qian*, Hua-Fan Zhang, P. T. Lai, Ze-Han Wu, and Xing-Zhao Liu, High-sensitivity β-Ga2O3 solar-blind photodetector on high-temperature pretreated c-plane sapphire substrate,Optical Materials Express, 7, 3643, 2017. (IF 2.57)

【15】Y.Y. Zhang,Ling-Xuan Qian*, and X.Z. Liu, Determination of the band alignment of a-IGZO/a-IGMO heterojunction for high-electron mobility transistor application,Physica Status Solidi RRL, 00, 1700251, 2017. (IF 3.72)

【14】L.X. Qian*, Z.H. Wu, Y.Y. Zhang, Y. Liu, J.Q. Song, X.Z. Liu, and Y.R. Li, Band alignment and interfacial chemical structure of HfLaO/InGaZnO4heterojunction investigated by X-ray photoelectron spectroscopy,J. Phys. D: Appl. Phys.,50, 145106, 2017. (IF 2.37)

【13】L.X. Qian*, Y. Wang, Z.H. Wu, T. Sheng, and X.Z. Liu, beta-Ga2O3solar-blind Deep-Ultraviolet photodetector based on annealed sapphire substrate,Vacuum, 140, 106, 2017. (IF 2.07)

【12】Yiyu Zhang,Ling-Xuan Qian*, Zehan Wu, and Xingzhao Liu*, Amorphous InGaMgO Ultraviolet Photo-TFT with Ultrahigh Photosensitivity and Extremely Large Responsivity,Materials,10, 168, 2017. (IF 2.47)

【11】L.X. Qian*, X. Z. Liu, T. Sheng, W. L. Zhang, Y. R. Li, and P. T. Lai, beta-Ga2O3solar-blind deep-ultraviolet photodetector based on a four-terminal structure with or without Zener diodes,AIP Advances,6, 045009, 2016. (IF 1.65)

【10】J. Q. Song,L.X. Qian, and P. T. Lai, Effects of Ta incorporation in Y2O3gate dielectric of InGaZnO thin-film transistor,Appl. Phys. Lett., 109, 163504, 2016. (IF 3.41)

【9】Jiaqi Song,Lingxuan Qian, Cheunghoi Leung, and Puito Lai, Improved electrical characteristics of amorphous InGaZnO thin-film transistor with HfLaO gate dielectric by nitrogen incorporation,Appl. Phys. Express,8, 066503, 2015. (IF 2.67)

【8】Ling Xuan Qianand Peter T. Lai, Fluorinated InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric,IEEE Electron Dev. Lett., 35(3), 363-365, 2014. (IF 3.43)

【7】L.X. Qian, P.T. Lai, and W.M. Tang, Effects of Ta Incorporation in La2O3Gate Dielectric of InGaZnO Thin-Film Transistor,Appl. Phys. Lett., 104, 123505, 2014. (IF 3.49)

【6】L.X. Qianand P.T. Lai, Improved Performance of InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric Annealed in Oxygen,IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 14(1), 177-181, 2014. (IF 1.58)

【5】L.X. Qian, X.Z. Liu, C.Y. Han, and P.T. Lai, Improved Performance of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor with Ta2O5Gate Dielectric by Using La Incorporation,IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 14(4), 1056-60, 2014. (IF 1.58)

【4】L.X. Qianand P.T. Lai, A Study on the Electrical Characteristics of InGaZnO Thin-Film Transistor with HfLaO Gate Dielectric Annealed in Different Gases,Microelectron. Reliab., 54, 2396-2400, 2014. (IF 1.37)

【3】L.X. Qian, W.M. Tang, and P.T. Lai, Improved Characteristics of InGaZnO Thin-Film Transistor by Using Fluorine Implant,ECS Solid State Lett.; 3(8), P87-P90, 2014. (IF 1.18)

【2】C.Y. Han,L.X. Qian, C.H. Leung, C.M. Che, and P.T. Lai, A Low-Frequency Noise Model with Carrier Generation-Recombination Process for Pentacene Organic Thin-Film Transistor,J. Appl. Phys., 114, 044503, 2013. (IF 2.07)

【1】Chuan Yu Han,Ling Xuan Qian, Cheung Hoi Leung, Chi Ming Che, and P. T. Lai, High-Performance Pentacene Thin-Film Transistor with ZrLaO Gate Dielectric Passivated by Fluorine Incorporation,Org. Electron., 14, 2973, 2013. (IF 3.40)

出版书籍

【1】Ling-Xuan Qian, Chap. 1. "High-k Dielectric for Nanoscale MOS Devices",《Outlook and Challenges of Nano Devices, Sensors, and MEMS》,Springer,2017.

国际会议论文

【1】L.X. Qian, X.D. Huang, and P.T. Lai, Effects of fluorine incorporation on the electrical properties of silicon MOS capacitor with La2O3gate dielectric,IEEE EDSSC, 2011.

【2】L.X. Qianand P.T. Lai, Influence of Ar/O2ratio during IGZO deposition on the electrical characteristics of a-IGZO TFT with HfLaO gate dielectric,IEEE EDSSC, 2013.

主讲课程


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