电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
副高级
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姓名:王向展

邮箱:wangxiangzhan@gmai.com

电话:028-83208233

系别:集成电路与系统系

职称:副教授(副研究员等)

教师个人主页:

邮箱 wangxiangzhan@gmai.com 电话 028-83208233
系别 集成电路与系统系 职称 副教授(副研究员等)
教师个人主页

教师简介

王向展,男,博士,副教授,1974年4月生,陕西合阳人。

1996年获西安交通大学半导体物理与器件专业学士学位;1999年获电子科技大学微电子学与固体电子学硕士学位,随后留校工作;2010年获电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位;主讲本科专业课程《集成电路原理与设计》、《综合课程设计》和《微电子集成电路测试与版图提取》。

参加工作以来,主持/主研/完成国家自然科学基金、“973”、“863”、“十五”、“十一五”和“十二五”军事电子预研项目、中央高校博士基金、产学研战略产业专项、重点实验室基金等20余项重大科研项目的工作。

研究领域主要为Si基新型半导体器件(FinFET、TFET)、应变Si/SiGe器件与电路和特种集成电路设计。

已在IEEE Trans. ED、JKPS、ISPSA、ICCCAS、EEIC等国际学术刊物及国际国内学术会议发表论文20余篇,其中SCI、EI收录10余篇。已申请中国发明专利30余件,获得授权美国发明专利1件,授权中国发明专利10件。

科学研究

发明专利

1.王向展,王微,秦桂霞,曾庆平. 一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法,国家发明专利,申请号:201110408312.2

2.王向展,秦桂霞,罗谦,王微,李竞春. 一种MOS晶体管局部应力的引入技术,国家发明专利,申请号:201110268524.5

3.王向展,于奇,杨洪东,王微. 一种具有高弛豫度SiGe缓冲层的制备方法,国家发明专利,申请号:201110223233.4

4.王向展,于奇,宁宁,秦桂霞,曾庆平. 一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法,申请号:201110102927.2

5.王向展,秦桂霞,宁宁,李竞春. 一种记忆浅槽隔离局部应力的MOS器件栅的形成方法,国家发明专利,申请号:201110145491.5

6.王向展,罗谦,秦桂霞,曾庆平. 一种应力稳定的MOS晶体管的栅的制造方法,国家发明专利,申请号:201110145470.3

7.王向展,于奇,杨洪东,李竞春,应贤炜. 一种应力放大的CMOS晶体管结构. 国家发明专利,申请号:201010539413.9

8.王向展,杜江锋,杨洪东,李竞春,于奇,全冯溪. 一种具有复合应变沟道的CMOS器件. 国家发明专利,申请号:201010197847.5

主讲课程


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